ATtiny2313 AVR 内核具有丰富的指令集和32 个通用工作寄存器。所有的寄存器都直接与算逻单元(ALU) 相连接，使得一条指令可以在一个时钟周期内同时访问两个独立的寄存器。这种结构大大提高了代码效率，并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的数据吞吐率。

ATtiny2313有2K字节系统内可编程Flash，128字节EEPROM，128字节SRAM， 18 个通 用 I/O 口线， 32 个通用工作寄存器，对片内调试的单线接口， 2 个具有比较模式的灵活 的定时器 计数器，片内外中断，串行可编程 USART，有启动状态检测器的通用串行接 口， 含片内振荡器的可编程看门狗定时器，以及三种可以通过软件进行选择的省电模式。 工作于 CPU 停止工作，而 SRAM、T/C以及中断系统继续工作；掉电模式时 晶体振荡器停止振荡，所有功能除了中断和硬件复位之外都停止工作；Standby模式下只 有晶体振荡器运行，使得器件只消耗极少的电流，同时具有快速启动能力。

本芯片是以 Atmel 高密度非易失性存储器技术生产的。 通过 SPI 串行接口或非易失性存 储器编程器可对程序存储器进行系统内编程。通过将 8 位 RISC CPU 与系统内可编程的 Flash 集成在一个芯片内，ATtiny2313 成为一个功能强大的单片机，为许多嵌入式控制应 用提供了灵活而低成本的解决方案。

ATtiny2313 AVR 具有一整套的编程与系统开发工具，包括：C 语言编译器、宏汇编、 程序调 试器 软件仿真器、仿真器及评估板。

ATtiny2313产品特性
* 高性能、低功耗的 8 位 AVR 微处理器
* 高级RISC结构
– 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
– 32 个8 位通用工作寄存器
– 全静态工作
– 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS
* 数据与非易失性程序和数据存储器
–2K 字节的系统内可编程Flash
擦写寿命: 10,000 次
–128 字节的系统内可编程EEPROM
擦写寿命: 100,000 次
–128 字节的片内SRAM
– 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM数据的加密
* 外设特点
– 具有独立预分频器及比较模式的8 位定时器计数器
– 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16 位定时器 计数器
– 四路 PWM 通道
– 片内模拟比较器
– 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器
– USI – 全局串行接口
– 全双工 USART
* 特殊的处理器特点
– 片内调试系统debugWIRE
– 通过SPI端口在系统内可编程 ATtiny2313
– 片内片外中断源
– 低功耗空闲模式、掉电模式、Standby 模式
– 增强型上电复位
– 可编程的掉电检测
– 片内标定振荡器
* I/O和封装
– 18可编程 I/O线
–20 引脚PDIP, 20引脚 SOIC与 32 引脚MLF
* 工作电压:
– ATtiny2313V：1.8 - 5.5V
–ATtiny2313：2.7 - 5.5V
* 速度等级
– ATtiny2313V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V
– ATtiny2313: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V
* 功耗估计
– 正常模式:
1 MHz, 1.8V: 300μA
32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器)
– 掉电模式:
< 0.2μA at 1.8V