微雪电子

光耦 6N135

6N135

芯片信息

型号 封装 在线定购
6N135（查看） DIP

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— 6N135 PDF技术资料

6N135 概述 / 6N135 Description


　　6N135光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管，该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。
　　6N135为偏置二极管建立了单独的连接，降低了输入晶体管的基极-集电极容抗，使得6N135的速度比传统光耦提高了数个数量级。　　6N135带有内部噪音屏蔽，提供优越的共模抑制，达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能，相比220V的工业标准，6N135的工作电压高达480V。

6N135 特性 / 6N135 Features

  • 高速–1 MBit/s
  • 优越的共模抑制–10kV/μs
  • 双重工作电压–480V有效值
  • CTR 保证温度范围 0–70℃
  • U.L.认证（File #E90700）

6N135 应用 / 6N135 Applications

  • 线路接收器
  • 脉冲变压器替代方案
  • CMOS-LSTTL-TTL输出接口
  • 宽频模拟耦合