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光耦 6N136

6N136

芯片信息

型号 封装 在线定购
6N136（查看） DIP
6N136S（查看） SMD

引脚布局

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技术资料—— 6N136 PDF技术资料

6N136 概述 / 6N136 Description


　　6N136光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管，该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。
　　6N136为偏置二极管建立了单独的连接，降低了输入晶体管的基极-集电极容抗，使得6N136的速度比传统光耦提高了数个数量级。　　6N136带有内部噪音屏蔽，提供优越的共模抑制，达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能，相比220V的工业标准，6N136的工作电压高达480V。

6N136 特性 / 6N136 Features

  • 高速–1 MBit/s
  • 优越的共模抑制–10kV/μs
  • 双重工作电压–480V有效值
  • CTR 保证温度范围 0–70℃
  • U.L.认证（File #E90700）

6N136 应用 / 6N136 Applications

  • 线路接收器
  • 脉冲变压器替代方案
  • CMOS-LSTTL-TTL输出接口
  • 宽频模拟耦合