DS1225Y
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DS1225Y 概述DS1225Y 64k非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。 DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。DS1225Y没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 |
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DS1225Y 特性
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