RAM 选型列表
ISSI - 异步SRAM
| 型号 | 容量 | 组织结构 | 工作电压 | 速率 (ns) | 封装 | 备注 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5V 高速率系列 |
IS61C256AL | 256K | 32K*8 | 5V | 10/12 | SOJ28,TSOP1-28 | |
| IS61C1024AL | 1M | 128K*8 | 5V | 12 | SOJ32,TSOP1-32,STSOP1-32 | SOJ分两种尺寸 | |
| 5V 低功耗系列 |
IS62C256AL | 256K | 32K*8 | 5V | 25/45 | SOP28,TSOP1-28 | |
| IS62C1024AL | 1M | 128K*8 | 5V | 35 | SOP32,TSOP1-32 | ||
| 高速率 低功耗系列 |
IS61LV6416 | 1M | 64K*16 | 3.3V | 8/10/12 | SOJ44,TSOP2-44,MBGA48 | |
| IS61LV25616AL | 4M | 256K*16 | 3.3V | 10/12 | SOJ44,TSOP2-44,LQFP44,MBGA48 | ||
| IS61LV5128AL | 4M | 512K*8 | 3.3V | 8/10/12 | SOJ36,TSOP2-44,MBGA36 | ||
| IS61LV51216 | 8M | 512K*16 | 3.3V | 8/10/12 | TSOP2-44,MBGA48 | ||
| PowerSaver 低功耗系列 |
IS62LV256AL | 256K | 32K*8 | 3.3V | 20/45 | SOJ28,SOP28,TSOP1-28 | |
| IS62WV1288BLL | 1M | 128K*8 | 2.5-3.6V | 45/55 | SOP32,TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36 | ||
| IS62WV12816BLL | 2M | 128K*16 | 2.5-3.6V | 45/55/70 | MBGA48,TSOP2-44 | 2CS可选 | |
| IS62WV2568BLL | 2M | 256K*8 | 2.5-3.6V | 55/70 | TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36 | ||
| IS62WV25616BLL | 4M | 256K*16 | 2.5-3.6V | 55/70 | MBGA48,TSOP2-44 | ||
| IS62WV5128BLL | 4M | 512K*8 | 2.5-3.6V | 55/70 | TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36,TSOP2-32,SOP32 | ||
| IS62WV51216BLL | 8M | 512K*16 | 2.5-3.6V | 45/55 | MBGA48,TSOP2-44 | ||
CYPRESS - SRAM
| 型号 | 容量 | 接口 | 工作电压 | 速率 (ns) | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| CY62128B | 128K*8 | 并口 | 4.5V-5.5V | 70 | |
| CY62128E | 128K*8 | 并口 | 4.5V-5.5V | 45 | |
| CY62136V | 128K*16 | 并口 | 2.7V-3.6V | 55 | |
| CY62148E | 512K*16 | 并口 | 4.5V-5.5V | 45 | |
| CY62148EV30 | 512K*16 | 并口 | 2.2V-3.6V | 45 | |
| CY62256 | 32K*8 | 并口 | 4.5V-5.5V | 50/70 |
Micron - SDRAM
| 型号 | 容量 | 结构 | 位宽 | 电压 | 接口 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MT48LC64M4A2 | 256 Mb | 4 x 16M x 4bits | 4 bits | 3.3 V | 并行 | |
| MT48LC32M8A2 | 256 Mb | 4 x 8M x 8bits | 8 bits | 3.3 V | 并行 | |
| MT48LC16M16A2 | 256 Mb | 4 x 4M x 16bits | 16 bits | 3.3 V | 并行 |
Samsung - SDRAM
| 型号 | 容量 | 结构 | 位宽 | 电压 | 接口 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| K4S560432E | 256 Mb | 4 x 16M x 4bits | 4 bits | 3.3 V | 并行 | |
| K4S560832E | 256 Mb | 4 x 8M x 8bits | 8 bits | 3.3 V | 并行 | |
| K4S561632E | 256 Mb | 4 x 4M x 16bits | 16 bits | 3.3 V | 并行 |
DALLAS - NV SRAM
| 型号 | 存储类型 | 容量 | 组织结构 | 接口 | 工作电压 | 电压容差 | 速率 (ns) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1225Y | 非易失SRAM | 64K | 8K*8 | 并口 | 4.5V～5.5V | 5V±10% | 150,170,200 |
| DS1230Y | 非易失SRAM | 256K | 32K*8 | 并口 | 4.5V～5.5V | 5V±10% | 70,85,100,120,150,200 |
| DS1230AB | 非易失SRAM | 256K | 32K*8 | 并口 | 4.75V～5.25V | 5V±5% | 70,85,100,120,150,200 |
| DS1245AB | 非易失SRAM | 1M | 128K*8 | 并口 | 4.75V～5.25V | 5V±5% | 70,85,100,120 |
SK Hynix - SDR SDRAM
| 型号 | 存储类型 | 容量 | 组织结构 | Power | 工作电压 | RoHS | 速率 (ns) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H57V1262GTR | CMOS同步DRAM | 128Mb | x16 | Normal/Low | 3.3V | O | 50/60/70/75 |
| H57V2562GTR | CMOS同步DRAM | 256Mb | x16 | Normal/Low | 3.3V | O | 50/60/70/75 |
