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FRAM FM18L08

FM18L08

芯片信息

型号 封装 在线定购
FM18L08-70-SG（查看） SOIC28

引脚布局

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技术资料—— FM18L08 PDF技术资料

FM18L08 概述


　　FM18L08是采用先进铁电工艺制造的256K的非易失性存储器。铁电存储器（F-RAM）可像RAM一样快速读写，FM18L08中的数据在掉电后仍将被保存，保存时间长达45年。相对于依靠后备电池的SRAM（BBSRAM）而言，FM18L08消除了可靠性忧虑，功能性缺陷以及系统设计复杂性问题。快速写入能力和超高的读/写次数，使F-RAM成为存储器中当之无愧的王者。
　　FM18L08的在系统操作跟其他基于RAM的器件非常相似。FM18L08的读写周期时间相等。F-RAM的非易失性来自于其独一无二的铁电存储器工艺。与BBSRAM不同，FM18L08是真正的非易失性存储器。它具备同样快速写入的优点，却没有各模块和电池之间或者其他混合存储方案所带来的诸多不便。
　　这些功能使得FM18L08成为需要频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
FM18L08 参数
FM18L08基本参数
容量   256K (32Kx8)
访问时间   70ns
最大工作电流   15mA
电压   3.0-3.65V
FM18L08封装与引脚
TSOP-I   32PIN
SOIC   28PIN
PDIP   28PIN
FM18L08接口类型
串行    
并行   √

FM18L08 特性

    256Kbit 位非易失性铁电存储器
  • 结构容量为32,68×8位
  • 掉电数据保存45年
  • 读/写次数无限制
  • 写数据无延迟
  • 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

    • 优于带后备电池的SRAM模块
  • 不需电池，没有后顾之忧
  • 整体可靠性
  • 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
  • 防止潮湿，冲击和震动的危害
  • 抵抗负电压脉冲能力

    • 可兼容SRAM&EEPROM
  • 符合JEDEC 32K×8 SRAM & EEPROM 引脚标准
  • 访问时间：70ns
  • 周期：140ns

    • 低功耗操作
  • 工作电压：3.0V - 3.65V
  • 工作电流：15mA
  • 待机电流：15uA

    • 工业标准
  • 工业级温度：-40℃至+85℃
  • 28脚SOIC 或 DIP封装

    • 订购信息
  • FM18L08-70-TG 70 ns访问时间，32脚环保TSOP - 环保封装
  • FM18L08-70-S 70 ns访问时间，28脚SOIC封装
  • FM18L08-70-SG 70 ns访问时间，28脚环保SOIC - 环保封装
  • FM18L08-70-P 70 ns访问时间，28脚DIP封装
  • FM18L08-70-PG 70 ns访问时间，28脚环保DIP - 环保封装