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FRAM FM20L08

FM20L08

芯片信息

型号 封装 在线定购
FM20L08-60-TG（查看） TSOP-I

引脚布局

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技术资料—— FM20L08 PDF技术资料

FM20L08 概述


　　FM20L08是128Kx8的非易失性存储器，可像标准SRAM一样快速读写。铁电存储器（F-RAM）具有非易失性，这意味着FM20L08中的数据在掉电后仍将被保存，保存时间长达10年以上。相对于依靠后备电池的SRAM（BBSRAM）而言，FM20L08消除了可靠性忧虑，功能性缺陷以及系统设计复杂性问题。快速写入能力和超高的读/写次数，使F-RAM成为存储器中当之无愧的王者。
　　FM20L08的在系统操作跟其他RAM非常相似，可作为其他标准SRAM的替换元件。FM20L08的读写周期可被/CE触发，或者通过直接改变地址来实现。F-RAM的非易失性来自于其独一无二的铁电存储器工艺，这种特性使得FM20L08成为需要像SRAM一样频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
　　这些功能使得FM18L08成为需要频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
FM20L08 参数
FM20L08基本参数
容量   1M (128Kx8)
访问时间   60ns
最大工作电流   22mA
电压   3.13-3.63V
FM20L08封装与引脚
TSOP-I   32PIN
FM20L08接口类型
串行    
并行   √

FM20L08 特性

    1Mbit位非易失性铁电存储器
  • 结构容量为131,072×8位
  • 掉电数据保存10年
  • 读/写次数无限制
  • 写数据无延迟

    • 附加功能
  • 页面模式运行可达到33MHz
  • 电压监控驱动Lockout信号
  • 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

    • 优于带后备电池的SRAM模块
  • 不需电池，没有后顾之忧
  • 整体可靠性
  • 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
  • 防止潮湿，冲击和震动的危害
  • 抵抗负电压脉冲能力

    • 可兼容SRAM
  • 符合JEDEC 128K×8 SRAM引脚标准
  • 访问时间：60ns
  • 周期：150ns（扩展温度）
  • 周期：350ns（工业级温度）

    • 低功耗操作
  • 工作电压：3.13V - 3.63V
  • 工作电流：22mA
  • 待机电流：25uA

    • 工业标准
  • 工业级温度： -40℃至+85℃
  • 扩展温度： -20℃至+85℃
  • 32脚TSOP Type1封装

    • 订购信息
  • FM20L08-60-TG - 工业级温度，60ns访问时间，
    32脚环环保TSOP - 无铅/环保封装
  • FM20L08-60-TGC - 扩展温度，60ns访问时间，
    32脚环保TSOP - 无铅/环保封装