微雪电子
MOSFET
IRF024
IRF024
芯片信息
型号
封装
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IRFR024N(查看)
TO-252AA
IRFU024N(查看)
TO-251AA
引脚布局
(点击图片看大图)
技术资料
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IRF024 PDF技术资料
IRF024 概述
第五代HEXFET功率场效应管IRF024采用IR公司先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF024这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF024成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
IRF024的D-PAK封装采用汽相、红外和波峰焊接工艺,适用于贴片安装。IRF024的直引脚版本(IRFU 系列)则适用于通孔安装的应用。在典型的贴片安装应用中,IRF024的功耗水平可达1.5W。
IRF024 参数
IRF024 基本参数
V
DSS
55 V
I
D
@25℃
16 A
R
DS(on)
Max
75.0 mΩ
IRF024 其他特性
FET极性
N型沟道
Qg Typ
13.3 nC
IRF024 封装与引脚
TO-252AA, TO-251AA
IRF024 特性
超低导通阻抗
贴片安装(IRFR024N)
直引脚(IRFU024N)
先进的工艺技术
快速转换速率
完全雪崩测试
无铅环保