微雪电子

MOSFET IRF1010

IRF1010

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF1010E（查看） TO-220AB
IRF1010EL（查看） TO-262
IRF1010ES（查看） TO-263
IRF1010N（查看） TO-220AB
IRF1010NS（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF1010 PDF技术资料

IRF1010 概述


　　IR的HEXFET功率场效应管IRF1010采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF1010这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1010成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　TO-220封装的IRF1010普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF1010得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF1010适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF1010的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF1010 参数
IRF1010 基本参数
VDSS   60 V
ID @25℃   81 A
RDS(on) Max   12.0 mΩ
IRF1010 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   86.6 nC
IRF1010 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF1010 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装（IRF1010ES、IRF1010NS）
  • 低端通孔安装（IRF1010EL）
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 无铅环保