微雪电子

MOSFET IRF4905

IRF4905

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF4905（查看） TO-220AB
IRF4905L（查看） TO-262
IRF4905S（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF4905 PDF技术资料

IRF4905 概述


　　IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF4905采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF4905这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF4905成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　TO-220封装的IRF4905普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF4905得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF4905适用于贴片安装，其特性包括：150℃的结点工作温度、快速转换速率以及增强的可恢复性雪崩击穿等级。TO-262是IRF4905的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF4905 参数
IRF4905 基本参数
VDSS   -55 V
ID @25℃   -74 A
RDS(on) Max   175.0 mΩ
IRF4905 其他特性
FET极性   P型沟道
Qg Typ   120.0 nC
IRF4905 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF4905 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装 - IRF4905S
  • 低端通孔安装 - IRF4905L
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 工作温度
    • 170℃ - IRF4905
    • 150℃ - IRF4905S、IRF4905L
  • 快速转换速率
  • P型沟道
  • 可恢复性雪崩击穿可达Tjmax
  • 无铅环保