IRF634 (Vishay)

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF634(查看) TO-220
IRF634N(查看) TO-220
IRF634NL(查看) TO-262
IRF634NS(查看) TO-263
IRF634S(查看) TO-263

引脚布局

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技术资料—— IRF634 (Vishay) PDF技术资料

IRF634 概述


  IRF634属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF634为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
  TO-220封装的IRF634普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF634得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF634适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF634的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
IRF634 参数
IRF634 基本参数
VDS   250 V
ID @25℃   8.1 A
RDS(on)   0.45 mΩ
IRF634 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.) (nC)   41 nC
IRF634 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF634 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 第五代Power MOSFETs - IRF634N
  • 贴片安装 - IRF634S、IRF634NS
  • 可选卷带包装 - IRF634S、IRF634NS
  • 无铅环保