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MOSFET IRF740 (Vishay)

IRF740 (Vishay)

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF740（查看） TO-220
IRF740A（查看） TO-220
IRF740AL（查看） TO-262
IRF740AS（查看） TO-263
IRF740LC（查看） TO-220
IRF740S（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF740 (Vishay) PDF技术资料

IRF740 概述


　　IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
　　新系列的低电荷Power MOSFET IRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF740LC减少了转换损耗，效能得到强化。
　　TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
IRF740 参数
IRF740 基本参数
VDS   400 V
ID @25℃   10 A
RDS(on)   0.55 mΩ
IRF740 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.)(nC)   63 nC
IRF740 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF740 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 贴片安装 - IRF740S、IRF740AS
  • 可选卷带包装 - IRF740S、IRF740AS
  • 超低栅电荷 - IRF740LC
  • 增强VGS等级 30 V - IRF740LC
  • 极高工作频率 - IRF740LC
  • 无铅环保