IRF7413
技术资料——
IRF7413 PDF技术资料
IRF7413 概述IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF7413采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF7413这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF7413成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 IRF7413的SO-8封装经过用户化的引脚框架改良，增强了热工特性和复合模性能，使IRF7413成为多种电力应用的理想选择。通过诸如此类的改良，在同一应用中可同时使用多个IRF7413器件，且极大节省了电路板空间。IRF7413的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计，在典型的PCB安装应用中，功耗将可能超过0.8W。 |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7413 特性
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
