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MOSFET IRF7811

IRF7811

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF7811AV（查看） SO-8
IRF7811W（查看） SO-8
IRF7811WG（查看） SO-8

引脚布局

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技术资料—— IRF7811 PDF技术资料

IRF7811 概述


　　IRF7811利用先进的HEXFET Power MOSFET技术，在导通阻抗和栅电荷间取得了前所未有的平衡。由于降低了传输和转换的损耗，IRF7811成为了高效DC-DC转换器的理想选择，可为最新一代的移动微处理器供电。
　　IRF7811对同步降压转换器的所有关键性参数做了优化，包括：RDS(on)，栅电荷和Cdv/dt感应启动抗扰度。IRF7811为同步FET应用提供了极低的QSW和RDS(on)，以及较高的Cdv/dt抗扰度。
　　IRF7811的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计。
IRF7811 参数
IRF7811 基本参数
VDSS   30 V
ID @25℃   14 A
RDS(on) Max   14 mΩ
IRF7811 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   17 nC
IRF7811 封装与引脚
SO-8

IRF7811 特性

  • N型沟道特定应用MOSFET
  • CPU内核DC-DC转换器的理想选择
  • 低传输损耗
  • 低转换损耗
  • 100% RG 测试
  • 最小化MOSFETs并行，用于高强度电流应用
  • 无铅环保