微雪电子
MOSFET
IRF7832
IRF7832
芯片信息
型号
封装
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IRF7832(查看)
SO-8
IRF7832Z(查看)
SO-8
引脚布局
(点击图片看大图)
技术资料
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IRF7832 PDF技术资料
IRF7832 概述
IRF7832利用先进的HEXFET Power MOSFET技术,在4.5V V
GS
下,具有极低的R
DS(on)
和超低栅极阻抗,IRF7832可用作同步MOSFET为笔记本处理器供电,或是在网络系统的隔离DC-DC转换器中充当同步整流MOSFET。
IRF7832的封装类型为SO-8,适用于贴片安装。
IRF7832 参数
IRF7832 基本参数
V
DSS
30 V
I
D
@25℃
20.0 A
R
DS(on)
Max
4.0 mΩ
IRF7832 其他特性
FET极性
N型沟道
Qg Typ
34.0 nC
IRF7832 封装与引脚
SO-8
IRF7832 特性
4.5V V
GS
下,R
DS(on)
极低
超低栅极阻抗
完美的雪崩性能
最大V
GS
20V
100% Rg 测试
无铅环保