微雪电子

MOSFET IRF9Z24

IRF9Z24

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF9Z24N（查看） TO-220AB
IRF9Z24NS（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF9Z24 PDF技术资料

IRF9Z24 概述


　　IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9Z24采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF9Z24这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF9Z24成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　TO-220封装的IRF9Z24普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF9Z24得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF9Z24适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF9Z24的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF9Z24 参数
IRF9Z24 基本参数
VDSS   -55 V
ID @25℃   -12 A
RDS(on) Max   175.0 mΩ
IRF9Z24 其他特性
FET极性   P型沟道
Qg Typ   12.7 nC
IRF9Z24 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF9Z24 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装 - IRF9Z24NS
  • 低端通孔安装 - IRF9Z24NL
  • 动态dv/dt率
  • 170℃工作温度
  • 快速转换速率
  • P型沟道
  • 无铅环保