微雪电子

MOSFET IRF9Z34

IRF9Z34

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF9Z34N（查看） TO-220AB
IRF9Z34NL（查看） TO-262
IRF9Z34NS（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF9Z34 PDF技术资料

IRF9Z34 概述


　　IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9Z34采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF9Z34这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF9Z34成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　TO-220封装的IRF9Z34普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF9Z34得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF9Z34适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF9Z34的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF9Z34 参数
IRF9Z34 基本参数
VDSS   -55 V
ID @25℃   -17 A
RDS(on) Max   100.0 mΩ
IRF9Z34 其他特性
FET极性   P型沟道
Qg Typ   23.3 nC
IRF9Z34 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF9Z34 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装 - IRF9Z34NS
  • 低端通孔安装 - IRF9Z34NL
  • 动态dv/dt率
  • 170℃工作温度
  • 快速转换速率
  • P型沟道
  • 无铅环保