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RAM IS62WV12816BLL

IS62WV12816BLL

芯片信息

型号 封装 在线定购
IS62WV12816BLL-55TLI（查看） TSOP

引脚布局

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技术资料—— IS62WV12816BLL PDF技术资料

IS62WV12816BLL 概述


　　ISSI的IS62WV12816BLL是一个2M容量，组织结构为128K*16的高速静态随机存取存储器。IS62WV12816BLL 采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。
　　当/CS1处于高电平或CS2处于低电平（未选中）时，或者是当/CS1处于低电平，CS2处于高电平并且/LB和/UB为高时，IS62WV12816BLL进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。
　　使用IS62WV12816BLL的片选引脚和输出使能引脚，可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位（/LB）存取。
IS62WV12816BLL 参数
IS62WV12816BLL基本参数
容量   2M (128K*16)
速率   45ns,55ns,70ns
工作功耗   36mW
电压   2.5V--3.6V
IS62WV12816BLL封装与引脚
MBGA   48PIN
TSOP2   44PIN
IS62WV12816BLL接口类型
串行    
并行   √

IS62WV12816BLL 特性

    IS62WV12816BLL 主要特性如下：
    高速率
  • 存取时间：45ns,55ns,70ns
  • 全静态操作：不需时钟或刷新
  • 输入输出兼容TTL标准
  • 独立供电：2.5V--3.6V Vdd
  • 三态输出
  • 高字节数据和低字节数据可分别控制

    • 低功耗操作
  • CMOS低功耗操作
    — 9μW（典型值）CMOS待机模式
    — 36mW（典型值）操作功耗

    • 工业标准
  • 无铅环保
  • 可选工业级温度
  • 可选2CS
  • MBGA48,TSOP2-44封装