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RAM IS62WV51216BLL

IS62WV51216BLL

芯片信息

型号 封装 在线定购
IS62WV51216BLL-55TLI（查看） TSOP

引脚布局

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技术资料—— IS62WV51216BLL PDF技术资料

IS62WV51216BLL 概述


　　ISSI的IS62WV51216BLL是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率，低功耗静态随机存取存储器。IS62WV51216BLL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。
　　当/CS1处于高电平或CS2处于低电平（未选中）时，或者/CS1处于低电平，CS2处于高电平并且/LB和/UB都为高时，IS62WV51216BLL进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。
　　使用IS62WV51216BLL的片选引脚和输出使能引脚，可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位（/LB）存取。
IS62WV51216BLL 参数
IS62WV51216BLL基本参数
容量   8M (512K*16)
速率   45ns,55ns
工作功耗   36mW
电压   2.5V--3.6V
IS62WV51216BLL封装与引脚
MBGA   48PIN
TSOP2   44PIN
IS62WV51216BLL接口类型
串行    
并行   √

IS62WV51216BLL 特性

    IS62WV51216BLL 主要特性如下：
    高速率
  • 存取时间：45ns,55ns
  • 全静态操作：不需时钟或刷新
  • 输入输出兼容TTL标准
  • 独立供电：2.5V--3.6V Vdd
  • 三态输出
  • 高字节数据和低字节数据可分别控制

    • 低功耗操作
  • CMOS低功耗操作
    — 12μW（典型值）CMOS待机模式
    — 36mW（典型值）操作功耗

    • 工业标准
  • 无铅环保
  • 可选工业级温度
  • MBGA48,TSOP2-44封装