微雪电子

RAM K4S560432E

K4S560432E

芯片信息

型号 封装 在线定购
K4S560432E-TC75（查看） 54TSOP2
K4S560432E-UC75（查看） 54TSOP2

引脚布局

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技术资料—— K4S560432E PDF技术资料

K4S560432E 概述


　　K4S560432E是一款268,435,456 bits高速SDRAM。K4S560432E采用三星电子的高性能CMOS工艺制造，其组织结构为4x16,777,216字，4bits位宽。K4S560432E的同步设计，再配合系统时钟I/O事务，使得每个时钟周期里的精细周期控制成为可能。工作频率范围、可编程突发长度、加上可编程潜伏期，这些特性让同样的K4S560432E器件得以适应许多的要求高带宽、高性能的存储系统应用。
K4S560432E 参数
K4S560432E 基本参数
容量   256 Mb
结构   4 x 16M x 4bits
位宽   4 bits
K4S560432E 其他特性
电压   3.3 V
Bank/接口   4/LVTTL
速度/频率   7.5ns (133MHz@CL=3)
刷新   8K/64ms
K4S560432E 封装与引脚
54TSOP2

K4S560432E 特性

  • JEDEC标准3.3V工作电压
  • 复合地址，兼容LVTTL
  • K4S560432E包含4个banks
  • MRS周期带有地址键值编程
    • CAS延迟(2 & 3)
    • 突发长度(1,2,4,8 & 整页)
    • 突发类型(顺序 & 交错)
  • K4S560432E所有输入发生在系统时钟的上升沿
  • 突发读、独位写操作
  • K4S560432E由DQM实现数据屏蔽
  • 自动刷新&自刷新(self refresh)
  • 刷新时间：8K/64ms