当IVSEL 为"0" 时，中断向量位于Flash 存储器的起始地址；当IVSEL 为"1" 时，中断向量转移到Boot 区的起始地址。实际的Boot 区起始地址由熔丝位BOOTSZ 确定。具体请参考P234“ 支持引导装入程序 – 在写的同时可以读(RWW, Read-While-Write) 的自我编程能力” 。 为了防止无意识地改变中断向量表，修改IVSEL 时需要遵照如下过程： 1. 置位中断向量修改使能位IVCE 2. 在紧接的4 个时钟周期里将需要的数据写入IVSEL，同时对IVCE 写”0” 执行上述序列时中断自动被禁止。其实，在置位IVCE 时中断就被禁止了，并一直保持到写IVSEL 操作之后的下一条语句。如果没有IVSEL 写操作，则中断在置位IVCE 之后的4 个时钟周期保持禁止。需要注意的是，虽然AVR 中断被自动禁止，但状态寄存器的位I 的值并不受此操作的影响。 Note: 若中断向量位于Boot区，且Boot锁定位BLB02被编程，则执行应用区的程序时中断被禁止；若中断向量位于应用区，且Boot 锁定位BLB12 被编程， 则执行Boot 区的程序时中断被禁止。有关Boot 锁定位的细节请参见P228“ 支持引导装入程序 – 在写的同时可以读 (RWW, Read-While-Write) 的自我编程能力” 。 · Bit 0 – IVCE: 中断向量修改使能 改变IVSEL 时IVCE 必须置位。在IVCE 或IVSEL 写操作之后4 个时钟周期， IVCE 被硬件清零。如前面所述，置位IVCE 将禁止中断。代码如下(针对ATmega32的)： 汇编代码例程： Move_interrupts: ; 使能中断向量的修改 ldi r16, (1<<IVCE) out GICR, r16 ; 将中断向量转移到boot Flash区 ldi r16, (1<<IVSEL) out GICR, r16 ret C 代码例程 void Move_interrupts(void) { /* 使能中断向量的修改*/ GICR = (1<<IVCE); /* 将中断向量转移到boot Flash区 */ GICR = (1<<IVSEL); } |
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